MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8 (SI7407DN-T1-E3)
Part Number: SI7407DN-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15.6A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 400µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 59nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.5W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
Цена по запросу