MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP (SI6473DQ-T1-GE3)
Part Number: SI6473DQ-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 70nC @ 5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.08W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-TSSOP
- Корпус: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Цена по запросу