MOSFET P-CH 8V 8TSSOP (SI6469DQ-T1-E3)

Part Number: SI6469DQ-T1-E3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 8V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.5W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-TSSOP
  • Корпус: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Цена по запросу