MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP (SI6435ADQ-T1-GE3)
Part Number: SI6435ADQ-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.05W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-TSSOP
- Корпус: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Цена по запросу