MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 (SI5853CDC-T1-E3)

Part Number: SI5853CDC-T1-E3


Documents / Media: datasheets SI5853CDC-T1-E3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: LITTLE FOOT®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 8V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 350pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Isolated)
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 1206-8 ChipFET™
  • Корпус: 8-SMD, Flat Lead

Цена по запросу