MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET (SI5486DU-T1-GE3)
Part Number: SI5486DU-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI5486DU-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 54nC @ 8V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
- Корпус: 8-PowerVDFN
Цена по запросу