MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET (SI5458DU-T1-GE3)
Part Number: SI5458DU-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI5458DU-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 7.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 325pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
- Корпус: 8-PowerVDFN
Цена по запросу