MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP (SI3475DV-T1-E3)
Part Number: SI3475DV-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 950mA (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 500pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 6-TSOP
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Цена по запросу