MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP (SI3460DV-T1-GE3)
Part Number: SI3460DV-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI3460DV-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 450mV @ 1mA (Min)
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.1W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 6-TSOP
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Цена по запросу