MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3 (SI2327DS-T1-E3)
Part Number: SI2327DS-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35 Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 750mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу