MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 (SI2323CDS-T1-GE3)
Part Number: SI2323CDS-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI2323CDS-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.6A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1090pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу