MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 (SI2305ADS-T1-E3)
Part Number: SI2305ADS-T1-E3
Documents / Media: datasheets SI2305ADS-T1-E3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 8V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 800mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 740pF @ 4V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу