MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6 (SI1406DH-T1-GE3)
Part Number: SI1406DH-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI1406DH-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SC-70-6 (SOT-363)
- Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Цена по запросу