MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363 (SI1405BDH-T1-E3)
Part Number: SI1405BDH-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 8V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 950mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 305pF @ 4V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.47W (Ta), 2.27W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SC-70-6 (SOT-363)
- Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Цена по запросу