MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A (SI1012CR-T1-GE3)
Part Number: SI1012CR-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI1012CR-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 600mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2nC @ 8V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 43pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 240mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SC-75A
- Корпус: SC-75, SOT-416
Цена по запросу