MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP (IRFD9110PBF)
Part Number: IRFD9110PBF
Documents / Media: datasheets IRFD9110PBF
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 420mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.3W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Корпус: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Цена по запросу