MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK (IRF630S)
Part Number: IRF630S
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3W (Ta), 74W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D²PAK (TO-263)
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу