MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO (SQJ962EP-T1-GE3)
Part Number: SQJ962EP-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SQJ962EP-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 475pF @ 25V
- Мощность: 25W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual
Цена по запросу