MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 (SQJ912AEP-T1_GE3)
Part Number: SQJ912AEP-T1_GE3
Documents / Media: datasheets SQJ912AEP-T1_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 30A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1835pF @ 20V
- Мощность: 48W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual
Цена по запросу