MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8 (SQJ570EP-T1_GE3)

Part Number: SQJ570EP-T1_GE3


Documents / Media: datasheets SQJ570EP-T1_GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
  • Мощность: 27W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual

Цена по запросу