MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8 (SQJ570EP-T1_GE3)
Part Number: SQJ570EP-T1_GE3
Documents / Media: datasheets SQJ570EP-T1_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
- Мощность: 27W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual
Цена по запросу