MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO (SQJ202EP-T1_GE3)
Part Number: SQJ202EP-T1_GE3
Documents / Media: datasheets SQJ202EP-T1_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A, 60A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 975pF @ 6V
- Мощность: 27W, 48W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Цена по запросу