MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR (SIZ710DT-T1-GE3)
Part Number: SIZ710DT-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIZ710DT-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 16A, 35A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 19A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 820pF @ 10V
- Мощность: 27W, 48W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-PowerPair™
- Исполнение корпуса: 6-PowerPair™
Цена по запросу