MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR (SIZ300DT-T1-GE3)

Part Number: SIZ300DT-T1-GE3


Documents / Media: datasheets SIZ300DT-T1-GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 11A, 28A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 400pF @ 15V
  • Мощность: 16.7W, 31W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-PowerWDFN
  • Исполнение корпуса: 8-PowerPair®

Цена по запросу