MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK (SIF912EDZ-T1-E3)
Part Number: SIF912EDZ-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7.4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 1.6W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® 2x5
- Исполнение корпуса: PowerPAK® (2x5)
Цена по запросу