MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L (SIA537EDJ-T1-GE3)
Part Number: SIA537EDJ-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIA537EDJ-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V, 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 455pF @ 6V
- Мощность: 7.8W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Цена по запросу