MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8 (SI7983DP-T1-GE3)

Part Number: SI7983DP-T1-GE3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 600µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 74nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 1.4W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual

Цена по запросу