MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8 (SI7964DP-T1-E3)
Part Number: SI7964DP-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9.6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 1.4W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual
Цена по запросу