MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 (SI7925DN-T1-E3)

Part Number: SI7925DN-T1-E3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4.8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 1.3W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8 Dual

Цена по запросу