MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 (SI7911DN-T1-E3)
Part Number: SI7911DN-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.2A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 1.3W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8 Dual
Цена по запросу