MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8 (SI7904BDN-T1-GE3)
Part Number: SI7904BDN-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 24nC @ 8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 860pF @ 10V
- Мощность: 17.8W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8 Dual
Цена по запросу