MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 (SI7844DP-T1-E3)

Part Number: SI7844DP-T1-E3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 1.4W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual

Цена по запросу