MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 (SI7844DP-T1-E3)
Part Number: SI7844DP-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 1.4W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual
Цена по запросу