MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 (SI7501DN-T1-GE3)
Part Number: SI7501DN-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel, Common Drain
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 1.6W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8 Dual
Цена по запросу