MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 (SI7501DN-T1-E3)

Part Number: SI7501DN-T1-E3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel, Common Drain
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 7.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 1.6W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8 Dual

Цена по запросу