MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 (SI7214DN-T1-E3)
Part Number: SI7214DN-T1-E3
Documents / Media: datasheets SI7214DN-T1-E3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.6A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 1.3W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8 Dual
Цена по запросу