MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP (SI6562DQ-T1-GE3)
Part Number: SI6562DQ-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 1W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-TSSOP
Цена по запросу