MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET (SI5975DC-T1-GE3)
Part Number: SI5975DC-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 450mV @ 1mA (Min)
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 1.1W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SMD, Flat Lead
- Исполнение корпуса: 1206-8 ChipFET™
Цена по запросу