MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 (SI5908DC-T1-E3)

Part Number: SI5908DC-T1-E3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 1.1W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса: 1206-8 ChipFET™

Цена по запросу