MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 (SI5905BDC-T1-E3)
Part Number: SI5905BDC-T1-E3
Documents / Media: datasheets SI5905BDC-T1-E3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 8V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11nC @ 8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 350pF @ 4V
- Мощность: 3.1W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SMD, Flat Lead
- Исполнение корпуса: 1206-8 ChipFET™
Цена по запросу