MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs (SI5519DU-T1-GE3)
Part Number: SI5519DU-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Standard
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 660pF @ 10V
- Мощность: 10.4W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Исполнение корпуса: PowerPAK® ChipFet Dual
Цена по запросу