MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 (SI5509DC-T1-E3)
Part Number: SI5509DC-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.1A, 4.8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 455pF @ 10V
- Мощность: 4.5W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SMD, Flat Lead
- Исполнение корпуса: 1206-8 ChipFET™
Цена по запросу