MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL (SI4590DY-T1-GE3)
Part Number: SI4590DY-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI4590DY-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: -
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 360pF @ 50V
- Мощность: 2.4W, 3.4W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу