MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC (SI4562DY-T1-E3)
Part Number: SI4562DY-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.6V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 2W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу