MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC (SI4505DY-T1-GE3)

Part Number: SI4505DY-T1-GE3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V, 8V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 6A, 3.8A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Мощность: 1.2W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса: 8-SO

Цена по запросу