MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC (SI4501ADY-T1-GE3)
Part Number: SI4501ADY-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel, Common Drain
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V, 8V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 1.3W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу