MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC (SI4276DY-T1-GE3)
Part Number: SI4276DY-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI4276DY-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 15V
- Мощность: 3.6W, 2.8W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу