MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP (SI3932DV-T1-GE3)
Part Number: SI3932DV-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI3932DV-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 235pF @ 15V
- Мощность: 1.4W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Исполнение корпуса: 6-TSOP
Цена по запросу