MOSFET N/P-CH 60V SOT563F (SI1029X-T1-E3)
Part Number: SI1029X-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 30pF @ 25V
- Мощность: 250mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-563, SOT-666
- Исполнение корпуса: SC-89-6
Цена по запросу