MOSFET N-CH 650V 20A PQFN (TPH3208LDG)
Part Number: TPH3208LDG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.6V @ 300µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14nC @ 8V
- Vgs (Max): ±18V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 760pF @ 400V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 96W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PQFN (8x8)
- Корпус: 3-PowerDFN
Цена по запросу