MOSFET N-CH 600V 17A TO220 (TPH3206PD)

Part Number: TPH3206PD


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Not For New Designs
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.6V @ 500µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±18V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 760pF @ 480V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 96W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220
  • Корпус: TO-220-3

Цена по запросу