MOSFET N-CH 650V 35A TO247 (TPH3205WSBQA)
Part Number: TPH3205WSBQA
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.6V @ 700µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 42nC @ 8V
- Vgs (Max): ±18V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 400V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 125W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-247
- Корпус: TO-247-3
Цена по запросу